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岡本 直哉（Naoya Okamoto）
1990年 株式会社富士通研究所入社、化合物半導体高周波デバイスに関する研究開発に従事
2002~2004年 東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター産学官連携研究員
2005~2011年 GaN HEMTバックサイドプロセス開発に従事
2012~2020年 化合物半導体高周波デバイスに関する研究開発マネージメントに従事
2021~2024年 Beyond5G/6G向けサブテラヘルツコンポーネントの研究開発に従事
2024年12月 富士通株式会社退職
2025年3月 CSデバイス・サーチ設立
工学博士（大阪大学）、応用物理学会会員、IEEEシニアメンバー
【スキル】 ※詳細は過去の実績をご覧ください。
分子線エピタキシー(MBE)
ガスソースMBE
有機金属気相成長(MOCVD)
ドライエッチング
スパッタ
めっき
両面アライナー
研削・CMP
デバイスシミュレーション
信頼性解析
熱・構造シミュレーション
電磁界シミュレーション
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